米国企業UniRAMが同社の嵌め込み式メモリに関する企業機密を、台積電が不当に使用したとして控訴した件で、去る９月２６日、サンフランシスコ連邦地方裁判所は、この不当行為により、賠償金として３，０５０万アメリカドルを支払うよう台積電(TSMC)に命じる判決を下した。台積電は、続けて上訴する意向を既に表明している。
UniRAM社は、１９８８年創立、米国カリフォルニアに本社を置き、ＩＣデザインのサービスおよび高機能メモリ（ＤＲＡＭ）の解決手段のライセンスの提供を主な事業としている。事業の特徴は、米国市場のMoSysまたは台湾の力旺に類似しているが、MoSysは主にEDRAM（1T Embedded DRAM）の特許を提供し、力旺は、組み込み式フラッシュメモリ（Embedded Flash）を主としている。UniRAMは、未だ上場しておらず、同社の営業、運営は大規模ではない。
近年のハイレベル、グラフィックチップ(ビデオチップ)内蔵ＤＲＡＭ部品は、目覚しい勢いで伸びており、台積電も、組み込み式フラッシュメモリの製造工程の研究開発に、資金と人員を注ぎこんでいる。２００７年３月にNVIDIAとの合同で、６５ナノメートルの組み込み式メモリを完成させ、８月には再度、９０ナノメートル組み込み式ＤＲＡＭの製造工程がマイクロソフト社のXBOX３６０に採用されることになった。しかし、先日UniRAMが、同社の組み込み式EDRAM（1T Embedded DRAM）のデザインにかかる営業機密を台積電が盗用したとの声明を発表、サンフランシスコ連邦裁判所に告訴を提出し、２週にわたる裁判の結果、裁判所は、台積電に賠償金として３，０５０万米ドルを支払う判定を言い渡した。
台積電は、２００７年上半期に流動資金一千億台湾ドルを所持しており、この判決による賠償金が同社に与える影響には限りがあるが、より重要な点として、同社は、今まで一途に知的財産権を最高標準で尊重してきたため、今回の件での陪審団の判決は不的確であるとし、今後上訴を提起し、同社の権益を保護する姿勢を表した。