德國聯邦專利法院
判定首爾半導體EP1697983專利無效

【資料來源：中央社、科技產業資訊室】

▓　案號：德國聯邦專利法院2 Ni 22/20(EP)

▓　原告：億光電子（Everlight Electronics）、光鋐科技（Epileds Technologies）

▓　被告：首爾半導體公司（Seoul Semiconductor）

▓　爭訟標的：EP1697983專利無效舉發

▓　摘要：
原告於2018.3.14向德國聯邦專利法院（German Federal Patent Court）提起專利無效訴訟，主張被告所有之歐洲專利EP1697983（德國專利號DE60341314.5）全部權利項應屬無效。該專利是有關高效氮化鎵基（GaN）發光二極管（LED）垂直晶片表面粗化技術。

▓　判決結果：
德國聯邦專利法院2020.7.2做出判決，EP1697983專利（德國專利號DE60341314.5）全部權利項無效，本案訴訟費用由被告負擔。

EP1697983專利最初是由加州大學基金會（The Regents of The University of California）及日本科學技術振興協會（JST）於2003.12.9提出申請，後來才讓與給首爾半導體。

專利摘要：基於氮化鎵（GaN）的發光二極體（LED），其中光通過LED的氮面（N面）（42）提取，並且N面（42）的表面粗糙化為一個或多個六角形的錐。粗糙的表面減少了在LED內部反復發生的光反射，從而從LED中提取了更多的光。N面（42）的表面通過各向異性蝕刻而被粗糙化，該各向異性蝕刻可以包括乾法蝕刻或光增強化學（PEC）蝕刻。

ü   EP1697983專利之詳細說明，請參見：

　  https://patents.google.com/patent/EP1697983B1/en