所屬技術領域具有通常知識者--
最高行政法院 109 年度上字第 33 號判決
【資料來源：司法院法學資料檢索系統】
裁判字號：最高行政法院 109 年度上字第 33 號判決
裁判日期：民國 111 年 02 月 24 日
裁判案由：發明專利舉發
上訴人：
日商鎧俠股份有限公司（即原審參加人，原名：日商東芝記憶體股份有限公司，以下簡稱鎧俠公司）、
經濟部智慧財產局（即原審被告，以下簡稱智慧局）
被上訴人：賴美穎 （即原審原告）
【事實摘要】
一、上訴人鎧俠公司於90.5.10向智慧局申請發明專利，以89.5.22為優先權日，智慧局准予第154717號發明專利（以下簡稱系爭專利）。被上訴人以系爭專利請求項第1、3、5、6有違反核准時專利法第71條第1項第3款及第20條第2項規定為由，提起舉發。經智慧局審查後為「請求項第1、3、5至6舉發不成立」之處分（以下簡稱原處分），被上訴人不服，提起行政訴訟；智慧財產法院（下稱原審）108年度行專訴字第37號行政判決（下稱原判決）撤銷訴願決定及原處分，上訴人不服，提起本件上訴，所有起訴主張及答辯資料，均引用原判決之記載。
二、原判決撤銷訴願決定及原處分，理由略為：
（一） 系爭專利請求項1所載內容顯未指出實施之必要技術內容、特點，致所屬技術領域具通常知識者無從依據系爭專利請求項1之記載內容實施其技術內容而達成系爭專利創作之目的，足證系爭專利請求項1確已違反核准時專利法第71條第1項第3款之規定。至系爭專利請求項3、5、6部分，因均係請求項1之附屬項，亦違反核准時專利法第71條第1項第3款之規定。
（二） 系爭專利請求項1與證據2圖12所揭露之技術內容間的差異在於：證據2圖12並未揭露選擇閘電晶體在寫入操作時尚施以一第三電位，且第一電位>第三電位>第二電位。證據2所示之「Vst」電位亦可對應於系爭專利請求項1之第二電位技術特徵。
（三） 系爭專利請求項1並未具體界定任何關於第三電位之數值以及對於選擇閘電晶體所造成之影響或與選擇字元線電位相互配合之相關條件，是以無法確認其所指第三電位之功能、目的或效果。系爭專利請求項1之發明乃所屬技術領域中具有通常知識者依證據2圖12及關於電壓Vcc、Vst之教示所能輕易完成者，不具進步性。
（四） 系爭專利自承之先前技術與證據2之組合，足以證明系爭專利請求項1、3、5、6不具進步性。
三、上訴人鎧俠公司上訴理由：
（一） 智慧財產案件審理細則第28條第2項規定，若有他人就「專利法第71條第3款」對系爭專利提出舉發，即有專利法第81條第1款規定之適用。原審竟於本案採不同見解，嚴格限縮「同一事實」之範圍至「不僅需主張之舉發事由相同，且主張之內容亦需相同」，悖於實務一貫解釋，對上訴人鎧俠公司亦顯欠公允。
（二） 上訴人於原審一再主張「系爭專利獨創以三期間三電位設計解決寫入錯誤問題，至於證據2僅揭露二期間二電位，且並無任何教示或動機促使所屬技術領域通常知識者增加期間及電位」乃系爭專利是否具備進步性之關鍵攻擊防禦方法，且已兩度為上訴人智慧局舉發不成立之審定，原判決未說明何以不採之理由，構成判決理由不備之違背法令。原判決就此爭點所自行導出之見解，不僅未曾依法闡明並予兩造陳述意見之機會，於其判決理由更不見其得心證之邏輯推演過程，顯已違背智慧財產案件審理法（下稱審理法）第8條規定。
（三） 證據2並未提及系爭專利申請當時所欲解決之「電容耦合」之新議題，原審對前述重要證據顯示的內容及兩造之重要攻擊防禦方法完全未加置理，甚且誤以證據2提及之在舊有製程/結構中之「耦合雜訊」之舊有議題來對比系爭專利申請時所關注之最新製程中新發現之「電容耦合」造成的問題，原判決不僅理由不備，更悖離論理法則與經驗法則，當然違背法令。
【最高行政法院判決】à維持原判
一、本件上訴人鎧俠公司係原審依行政訴訟法第42條規定參加訴訟之獨立參加人，因不服原審所為對其不利之判決，提起上訴，其利害關係與原審被告即智慧局一致，本件應併列智慧局為上訴人。
二、本件關於證據2足以證明系爭專利請求項1、3、5、6不具進步性，證據2與系爭專利自承先前技術之組合亦足以證明系爭專利請求項1、3、5、6不具進步性等情，業據原審一一論明，經核並無違經驗法則、論理法則或證據法則，亦無所適用之法規與該案應適用之法規違背，而有判決違背法令之情形。
三、所謂「所屬技術領域具有通常知識者」（person who has the ordinary skill in the art, PHOSITA）乃一虛擬之角色，並非具體存在，其技術能力如何、主觀創作能力如何，必須藉由外部證據資料將其能力具體化，在專利訴訟實務中，爭議之專利其所歸類之技術分類以及該類技術於爭議之專利申請當時所呈現之技術水平，均足作為具體化此一虛擬角色能力之參考資料，當此一虛擬角色之技術能力經由兩造攻擊防禦過程中漸次浮現時，有關爭議專利之創作是否與已經存在之技術間有顯著之不同、相較於既有或已知之技術而言是否產生顯著之功效，即應透過論理法則與經驗法則，在不違自然法則之前提下加以客觀檢視，而非任由爭議當事人以主觀意見恣意左右。法院就專利之進步性論證過程，某種程度上即係將所屬技術領域具通常知識者之技術能力具體化，倘其論證內容不違經驗法則、論理法則或自然法則，即尚難謂法院未就所屬技術領域具通常知識者之知識水平加以說明。
四、電容耦合、漏電流或寫抑制電位降低，實質上為相同的技術問題，並以充分關閉（斷開）選擇閘電晶體為解決問題之技術手段等情，業據原審論明，核無不合。原審經比對證據2之記載，認證據2與系爭專利均係採取相同之「充分關閉（斷開）選擇閘電晶體」為解決問題之技術手段等情，核與卷證資料相符，亦無悖於論理法則及經驗法則。系爭專利採取以第二電位（VSG2）使全部選擇閘電晶體充分成為斷開之技術方案，證據2無法證明系爭專利請求項1不具進步性等等，原審亦已詳予指駁。上訴論旨，洵無可採。
五、當事人既已於原審就作成進步性決定之相關事實進行辯論，其聽審權即已受到保障，而無突襲性裁判之問題，自無違反審理法第34條第1項準用第8條規定。
六、上訴人所指另件舉發案（N01）中，該案舉發人係主張系爭專利請求項1、3、5、6未載明第一、第二及第三期間及寫入操作等，欠缺說明書或圖式之支持，核與本件主張系爭專利請求項中未記載「第二期間使選擇閘電晶體呈斷開狀態」等必要技術內容，實質內容並不相同，自無專利法第81條第1款規定之適用。
七、爰此，原判決核無違誤，上訴無理由，應予駁回。
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